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IPP028N08N3 G /MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3
IPP028N08N3 G的规格信息
IPP028N08N3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:33 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:73 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:86 ns

典型接通延迟时间:28 ns

零件号别名:IPP028N08N3GXKSA1 IPP28N8N3GXK SP000680766

单位重量:6 g

供应商IPP028N08N3 G
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深圳市威雅利发展有限公司IPP028N08N3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPP028N08N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IPP028N08N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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13725570869
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深圳市安富世纪电子有限公司IPP028N08N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市坤融电子有限公司IPP028N08N3 G航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城IPP028N08N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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万三科技(深圳)有限公司IPP028N08N3 G深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPP028N08N3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市智连鑫科技有限公司IPP028N08N3 G深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
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IPP028N08N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 100A1+:¥33.9
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Mouser 贸泽电子
IPP028N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 31:¥38.42
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Mouser 贸泽电子
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IPP028N08N3 GInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥36.61
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